A2T09VD300NR1

IC TRANS RF LDMOS
A2T09VD300NR1 P1
A2T09VD300NR1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

NXP USA Inc. ~ A2T09VD300NR1

номер части
A2T09VD300NR1
производитель
NXP USA Inc.
Описание
IC TRANS RF LDMOS
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
A2T09VD300NR1.pdf A2T09VD300NR1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части A2T09VD300NR1
Статус детали Active
Тип транзистора LDMOS (Dual)
частота 920MHz
Усиление 21.5dB
Напряжение - испытание 48V
Текущий рейтинг -
Коэффициент шума -
Текущий - Тест 1.2A
Выходная мощность 79W
Напряжение - Номинальное напряжение 105V
Упаковка / чехол TO-270-6 Variant, Flat Leads
Пакет устройств поставщика TO-270WB-6A

сопутствующие товары

Все продукты