A2T09VD300NR1

IC TRANS RF LDMOS
A2T09VD300NR1 P1
A2T09VD300NR1 P1
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NXP USA Inc. ~ A2T09VD300NR1

Numéro d'article
A2T09VD300NR1
Fabricant
NXP USA Inc.
La description
IC TRANS RF LDMOS
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - RF
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Numéro d'article A2T09VD300NR1
État de la pièce Active
Type de transistor LDMOS (Dual)
La fréquence 920MHz
Gain 21.5dB
Tension - Test 48V
Note actuelle -
Figure de bruit -
Actuel - Test 1.2A
Puissance - Sortie 79W
Tension - Rated 105V
Paquet / cas TO-270-6 Variant, Flat Leads
Package de périphérique fournisseur TO-270WB-6A

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