Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

NXP USA Inc. ~ A2I25D025GNR1

номер части: A2I25D025GNR1
производитель: NXP USA Inc.
Описание: IC TRANS RF LDMOS
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: A2I25D025GNR1.pdf A2I25D025GNR1 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ

номер части	A2I25D025GNR1
Статус детали	Active
Тип транзистора	LDMOS (Dual)
частота	2.69GHz
Усиление	31.9dB
Напряжение - испытание	28V
Текущий рейтинг	-
Коэффициент шума	-
Текущий - Тест	59mA
Выходная мощность	3.2W
Напряжение - Номинальное напряжение	65V
Упаковка / чехол	TO-270-17 Variant, Gull Wing
Пакет устройств поставщика	TO-270WBG-17

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
A2I25D012GNR1	NXP USA Inc.	IC RF LDMOS AMP 15TO270	подробности
A2I25D012NR1	NXP USA Inc.	IC RF LDMOS AMP 15TO270	подробности
A2I25D025GNR1	NXP USA Inc.	IC TRANS RF LDMOS	подробности
A2I25D025NR1	NXP USA Inc.	IC TRANS RF LDMOS	подробности
A2I25H060GNR1	NXP USA Inc.	IC TRANS RF LDMOS	подробности
A2I25H060NR1	NXP USA Inc.	IC RF LDMOS AMP	подробности