A2I25D025GNR1

IC TRANS RF LDMOS
A2I25D025GNR1 P1
A2I25D025GNR1 P1
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NXP USA Inc. ~ A2I25D025GNR1

Numéro d'article
A2I25D025GNR1
Fabricant
NXP USA Inc.
La description
IC TRANS RF LDMOS
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - RF
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Numéro d'article A2I25D025GNR1
État de la pièce Active
Type de transistor LDMOS (Dual)
La fréquence 2.69GHz
Gain 31.9dB
Tension - Test 28V
Note actuelle -
Figure de bruit -
Actuel - Test 59mA
Puissance - Sortie 3.2W
Tension - Rated 65V
Paquet / cas TO-270-17 Variant, Gull Wing
Package de périphérique fournisseur TO-270WBG-17

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