MV2N5114

P CHANNEL JFET
MV2N5114 P1
MV2N5114 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Microsemi Corporation ~ MV2N5114

номер части
MV2N5114
производитель
Microsemi Corporation
Описание
P CHANNEL JFET
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- MV2N5114 PDF online browsing
семья
Транзисторы - JFET
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части MV2N5114
Статус детали Active
Тип полевого транзистора P-Channel
Напряжение - пробой (V (BR) GSS) 30V
Слив к источнику напряжения (Vdss) 30V
Текущий - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) 90mA @ 18V
Текущий слив (Id) - Макс. -
Напряжение - обрезание (VGS выключено) @ Id 10V @ 1nA
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 25pF @ 15V
Сопротивление - RDS (Вкл.) 75 Ohm
Мощность - макс. 500mW
Рабочая Температура -65°C ~ 200°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Упаковка / чехол TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Пакет устройств поставщика TO-18 (TO-206AA)

сопутствующие товары

Все продукты