MV2N5114

P CHANNEL JFET
MV2N5114 P1
MV2N5114 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ MV2N5114

Artikelnummer
MV2N5114
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
P CHANNEL JFET
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - JFETs
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Artikelnummer MV2N5114
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Spannungsabfall (V (BR) GSS) 30V
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Abfluss (Idss) @ Vds (Vgs = 0) 90mA @ 18V
Stromabfluss (Id) - Max -
Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id 10V @ 1nA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 15V
Widerstand - RDS (Ein) 75 Ohm
Leistung max 500mW
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Lieferantengerätepaket TO-18 (TO-206AA)

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