APTGTQ200DA65T3G

POWER MODULE - IGBT
APTGTQ200DA65T3G P1
APTGTQ200DA65T3G P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Microsemi Corporation ~ APTGTQ200DA65T3G

номер части
APTGTQ200DA65T3G
производитель
Microsemi Corporation
Описание
POWER MODULE - IGBT
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- APTGTQ200DA65T3G PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части APTGTQ200DA65T3G
Статус детали Active
Тип IGBT -
конфигурация Boost Chopper
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 650V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 200A
Мощность - макс. 483W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 200A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 200µA
Входная емкость (Cies) @ Vce 12nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC Yes
Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика SP3F

сопутствующие товары

Все продукты