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| Número de pieza | APTGTQ200DA65T3G |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de IGBT | - |
| Configuración | Boost Chopper |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 650V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200A |
| Potencia - Max | 483W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 200A |
| Corriente - corte de colector (máximo) | 200µA |
| Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 12nF @ 25V |
| Entrada | Standard |
| Termistor NTC | Yes |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / caja | Module |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SP3F |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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APTGTQ100A65T1G | Microsemi Corporation | POWER MODULE - IGBT | - | 1592 | Detalles |
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APTGTQ100DA65T1G | Microsemi Corporation | POWER MODULE - IGBT | - | 1992 | Detalles |
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APTGTQ100DDA65T3G | Microsemi Corporation | POWER MODULE - IGBT | - | 1322 | Detalles |
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APTGTQ100H65T3G | Microsemi Corporation | POWER MODULE - IGBT | - | 1055 | Detalles |
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APTGTQ100SK65T1G | Microsemi Corporation | POWER MODULE - IGBT | - | 1992 | Detalles |
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APTGTQ150TA65TPG | Microsemi Corporation | POWER MODULE - IGBT | - | 474 | Detalles |
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APTGTQ200A65T3G | Microsemi Corporation | POWER MODULE - IGBT | - | 1055 | Detalles |
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APTGTQ200DA65T3G | Microsemi Corporation | POWER MODULE - IGBT | - | 1322 | Detalles |
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APTGTQ200SK65T3G | Microsemi Corporation | POWER MODULE - IGBT | - | 1322 | Detalles |
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APTGTQ50TA65T3G | Microsemi Corporation | POWER MODULE - IGBT | - | 1311 | Detalles |