MMIX4B20N300

MOSFET N-CH
MMIX4B20N300 P1
MMIX4B20N300 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

IXYS ~ MMIX4B20N300

номер части
MMIX4B20N300
производитель
IXYS
Описание
MOSFET N-CH
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
MMIX4B20N300.pdf MMIX4B20N300 PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - массивы
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части MMIX4B20N300
Статус детали Active
Тип IGBT -
конфигурация Full Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 3000V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 34A
Мощность - макс. 150W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 20A
Ток - отсечка коллектора (макс.) -
Входная емкость (Cies) @ Vce -
вход Standard
Термистор NTC No
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол 24-SMD Module, 9 Leads
Пакет устройств поставщика SMPD

сопутствующие товары

Все продукты