MMIX4B20N300

MOSFET N-CH
MMIX4B20N300 P1
MMIX4B20N300 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

IXYS ~ MMIX4B20N300

Artikelnummer
MMIX4B20N300
Hersteller
IXYS
Beschreibung
MOSFET N-CH
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
MMIX4B20N300.pdf MMIX4B20N300 PDF online browsing
Familie
Transistoren - IGBTs - Arrays
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Produktparameter

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Artikelnummer MMIX4B20N300
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Aufbau Full Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 3000V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 34A
Leistung max 150W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 20A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) -
Eingangskapazität (Cies) @ Vce -
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 24-SMD Module, 9 Leads
Lieferantengerätepaket SMPD

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