| номер части | IPA60R190C6 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 600V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 20.2A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 630µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 63nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 1400pF @ 100V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 34W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 9.5A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO-220-FP |
| Упаковка / чехол | TO-220-3 Full Pack |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 16A TO-220FP | 0 | подробности | |
 |
IPA60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | - | 0 | подробности |
|
IPA60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | - | 0 | подробности |
 |
IPA60R099C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP | - | 9135 | подробности |
 |
IPA60R099C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP | - | 9096 | подробности |
 |
IPA60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | 0 | подробности | |
 |
IPA60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220FP-3 | 24 | подробности | |
|
IPA60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | - | 0 | подробности |
 |
IPA60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP-3 | 0 | подробности | |
|
IPA60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | - | 0 | подробности |
 |
IPA60R125C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP | - | 471 | подробности |
|
IPA60R125C6E8191XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO220-3 | - | 7021 | подробности |
