IPA60R190C6

MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
IPA60R190C6 P1
IPA60R190C6 P1
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Infineon Technologies ~ IPA60R190C6

Artikelnummer
IPA60R190C6
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IPA60R190C6
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 20.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 630µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 63nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 34W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 9.5A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO-220-FP
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack

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