BSM50GD120DN2G

IGBT BSM50GD120DN2GBOSA1
BSM50GD120DN2G P1
BSM50GD120DN2G P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ BSM50GD120DN2G

номер части
BSM50GD120DN2G
производитель
Infineon Technologies
Описание
IGBT BSM50GD120DN2GBOSA1
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- BSM50GD120DN2G PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части BSM50GD120DN2G
Статус детали Obsolete
Тип IGBT -
конфигурация Full Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 78A
Мощность - макс. 400W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 50A
Ток - отсечка коллектора (макс.) -
Входная емкость (Cies) @ Vce 33nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC No
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика Module

сопутствующие товары

Все продукты