BSM50GD120DN2E3226BOSA1

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
BSM50GD120DN2E3226BOSA1 P1
BSM50GD120DN2E3226BOSA1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ BSM50GD120DN2E3226BOSA1

номер части
BSM50GD120DN2E3226BOSA1
производитель
Infineon Technologies
Описание
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- BSM50GD120DN2E3226BOSA1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части BSM50GD120DN2E3226BOSA1
Статус детали Not For New Designs
Тип IGBT -
конфигурация Three Phase Inverter
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 50A
Мощность - макс. 350W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 50A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce 3.3nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC No
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика Module

сопутствующие товары

Все продукты