| номер части | BSD840NH6327XTSA1 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | 2 N-Channel (Dual) |
| Функция FET | Logic Level Gate |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 20V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 880mA |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 880mA, 2.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 750mV @ 1.6µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 0.26nC @ 2.5V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 78pF @ 10V |
| Мощность - макс. | 500mW |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Пакет устройств поставщика | PG-SOT363-6 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSD840N L6327 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 | - | 0 | подробности |
 |
BSD840NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 | - | 72000 | подробности |
