画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
| 品番 | BSD840NH6327XTSA1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET機能 | Logic Level Gate |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 880mA |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 400 mOhm @ 880mA, 2.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 750mV @ 1.6µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 0.26nC @ 2.5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 78pF @ 10V |
| 電力 - 最大 | 500mW |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT363-6 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSD840N L6327 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 | - | 0 | 詳細 |
 |
BSD840NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 | - | 72000 | 詳細 |