| номер части | BSC072N03LD G |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | 2 N-Channel (Dual) |
| Функция FET | Logic Level Gate |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 30V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 11.5A |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 7.2 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 41nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 3500pF @ 15V |
| Мощность - макс. | 57W |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | 8-PowerVDFN |
| Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC0702LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8TDSON | - | 0 | подробности |
 |
BSC070N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8 | - | 20000 | подробности |
 |
BSC070N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A TDSON-8 | 5000 | подробности | |
 |
BSC072N025S G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 40A TDSON-8 | 0 | подробности | |
 |
BSC072N03LD G | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON | - | 20000 | подробности |
 |
BSC072N03LDGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON | - | 113136 | подробности |
 |
BSC072N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 74A 8TDSON | 0 | подробности | |
 |
BSC076N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 | - | 50000 | подробности |
 |
BSC077N12NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 98A 8TDSON | - | 25000 | подробности |
 |
BSC079N03LSCGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14A 8TDSON | 5000 | подробности | |
 |
BSC079N03SG | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8 | 0 | подробности | |
 |
BSC079N10NSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8 | - | 0 | подробности |
