| номер части | BSC079N10NSGATMA1 |
|---|---|
| Статус детали | Not For New Designs |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 100V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 13.4A (Ta), 100A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 110µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 87nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 5900pF @ 50V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 156W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 7.9 mOhm @ 50A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8 |
| Упаковка / чехол | 8-PowerTDFN |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC079N03LSCGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14A 8TDSON | 5000 | подробности | |
 |
BSC079N03SG | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8 | 0 | подробности | |
 |
BSC079N10NSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8 | - | 0 | подробности |
