| номер части | FQI9N08TU |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 80V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 9.3A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 7.7nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 250pF @ 25V |
| Vgs (Макс.) | ±25V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.75W (Ta), 40W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 210 mOhm @ 4.65A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Пакет устройств поставщика | I2PAK (TO-262) |
| Упаковка / чехол | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQI10N20CTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9.5A I2PAK | 0 | подробности | |
 |
FQI10N60CTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK | 0 | подробности | |
 |
FQI11N40TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 11.4A I2PAK | 0 | подробности | |
 |
FQI11P06TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 11.4A I2PAK | 0 | подробности | |
 |
FQI12N50TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 12.1A I2PAK | 0 | подробности | |
 |
FQI12N60CTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 12A I2PAK | 0 | подробности | |
 |
FQI12N60TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK | 0 | подробности | |
 |
FQI13N06LTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 13.6A I2PAK | 0 | подробности | |
 |
FQI13N06TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 13A I2PAK | 0 | подробности | |
 |
FQI13N50CTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK | - | 880 | подробности |
 |
FQI15P12TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 120V 15A I2PAK | 0 | подробности | |
 |
FQI16N25CTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 15.6A I2PAK | 0 | подробности |
