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| Número de pieza | FQI9N08TU |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 80V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 9.3A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 3.75W (Ta), 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210 mOhm @ 4.65A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | I2PAK (TO-262) |
| Paquete / caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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FQI10N20CTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9.5A I2PAK | 0 | Detalles | |
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FQI10N60CTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK | 0 | Detalles | |
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FQI11N40TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 11.4A I2PAK | 0 | Detalles | |
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FQI11P06TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 11.4A I2PAK | 0 | Detalles | |
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FQI12N50TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 12.1A I2PAK | 0 | Detalles | |
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FQI12N60CTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 12A I2PAK | 0 | Detalles | |
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FQI12N60TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK | 0 | Detalles | |
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FQI13N06LTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 13.6A I2PAK | 0 | Detalles | |
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FQI13N06TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 13A I2PAK | 0 | Detalles | |
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FQI13N50CTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK | - | 880 | Detalles |
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FQI15P12TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 120V 15A I2PAK | 0 | Detalles | |
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FQI16N25CTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 15.6A I2PAK | 0 | Detalles |