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| 品番 | TPC8408,LQ(S |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N and P-Channel |
| FET機能 | Logic Level Gate |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 40V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.1A, 5.3A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 32 mOhm @ 3.1A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.3V @ 100µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 24nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 850pF @ 10V |
| 電力 - 最大 | 450mW |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOP |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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TPC8.2AHM3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC SMPC | - | 0 | 詳細 |
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TPC8.2AHM3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC SMPC | - | 0 | 詳細 |
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TPC8.2AHM3_A/H | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 12.1VC 124A TO277A | 0 | 詳細 | |
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TPC8.2AHM3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 12.1VC 124A TO277A | 0 | 詳細 | |
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TPC8.2HM3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 6.63VWM 12.5VC SMPC | - | 0 | 詳細 |
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TPC8012-H(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP | - | 0 | 詳細 |
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TPC8014(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B | 0 | 詳細 | |
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TPC8018-H(TE12LQM) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B | 0 | 詳細 | |
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TPC8021-H(TE12LQ,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B | 0 | 詳細 | |
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TPC8022-H(TE12LQ,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 40V 7.5A SOP8 2-6J1B | 0 | 詳細 | |
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TPC8026(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC | 0 | 詳細 |