TPC8408,LQ(S

MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.3A 8SOP
TPC8408,LQ(S P1
TPC8408,LQ(S P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ TPC8408,LQ(S

Numéro d'article
TPC8408,LQ(S
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
La description
MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.3A 8SOP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- TPC8408,LQ(S PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article TPC8408,LQ(S
État de la pièce Active
FET Type N and P-Channel
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 40V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 6.1A, 5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 10V
Puissance - Max 450mW
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SOP

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