IPN70R1K5CEATMA1

MOSFET NCH 700V 5.4A SOT223
IPN70R1K5CEATMA1 P1
IPN70R1K5CEATMA1 P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Infineon Technologies ~ IPN70R1K5CEATMA1

品番
IPN70R1K5CEATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET NCH 700V 5.4A SOT223
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IPN70R1K5CEATMA1.pdf IPN70R1K5CEATMA1 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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品番 IPN70R1K5CEATMA1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 700V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 5.4A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3.5V @ 100µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 10.5nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 225pF @ 100V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 Super Junction
消費電力(最大) 5W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 1.5 Ohm @ 1A, 10V
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-SOT223
パッケージ/ケース SOT-223-3

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