IPN70R1K5CEATMA1

MOSFET NCH 700V 5.4A SOT223
IPN70R1K5CEATMA1 P1
IPN70R1K5CEATMA1 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ IPN70R1K5CEATMA1

Artikelnummer
IPN70R1K5CEATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET NCH 700V 5.4A SOT223
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPN70R1K5CEATMA1.pdf IPN70R1K5CEATMA1 PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IPN70R1K5CEATMA1
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 700V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 5.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 100µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 225pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft Super Junction
Verlustleistung (Max) 5W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 1A, 10V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-SOT223
Paket / Fall SOT-223-3

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