IPN70R1K0CEATMA1

MOSFET COOLMOS 700V SOT223-3
IPN70R1K0CEATMA1 P1
IPN70R1K0CEATMA1 P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Infineon Technologies ~ IPN70R1K0CEATMA1

品番
IPN70R1K0CEATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET COOLMOS 700V SOT223-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- IPN70R1K0CEATMA1 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IPN70R1K0CEATMA1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 750V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 7.4A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3.5V @ 150µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 14.9nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 328pF @ 100V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 5W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 1 Ohm @ 1.5A, 10V
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-SOT223
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA

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