SQJQ906E-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
SQJQ906E-T1_GE3 P1
SQJQ906E-T1_GE3 P1
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Vishay Siliconix ~ SQJQ906E-T1_GE3

Numero di parte
SQJQ906E-T1_GE3
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte SQJQ906E-T1_GE3
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3600pF @ 20V
Potenza - Max 50W
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso PowerPAK® 8 x 8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® 8 x 8 Dual

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