SQJQ906E-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
SQJQ906E-T1_GE3 P1
SQJQ906E-T1_GE3 P1
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Vishay Siliconix ~ SQJQ906E-T1_GE3

Numéro d'article
SQJQ906E-T1_GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
La description
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- SQJQ906E-T1_GE3 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article SQJQ906E-T1_GE3
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 40V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3600pF @ 20V
Puissance - Max 50W
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas PowerPAK® 8 x 8 Dual
Package de périphérique fournisseur PowerPAK® 8 x 8 Dual

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