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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SQJQ906E-T1_GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 95A (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 3.3 mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3600pF @ 20V |
| Leistung max | 50W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SQJQ900E-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2N-CH 40V PWRPAK8X8 | 0 | Einzelheiten | |
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SQJQ904E-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2N-CH 40V PWRPAK8X8 | - | 2000 | Einzelheiten |
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SQJQ906E-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8 | - | 52378 | Einzelheiten |
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SQJQ906EL-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2N-CH 40V PWRPAK8X8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SQJQ910EL-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK8X8 | - | 41971 | Einzelheiten |
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SQJQ960EL-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK8X8 | - | 61409 | Einzelheiten |
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SQJQ980EL-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK8X8 | - | 52378 | Einzelheiten |