FDMD8630

MOSFET 2N-CH 30V 38A POWER5X6
FDMD8630 P1
FDMD8630 P1
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ON Semiconductor ~ FDMD8630

Numero di parte
FDMD8630
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 38A POWER5X6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte FDMD8630
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 38A (Ta), 167A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 142nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9930pF @ 15V
Potenza - Max 2.3W (Ta), 43W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore 8-Power 5x6

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