FDMD8630

MOSFET 2N-CH 30V 38A POWER5X6
FDMD8630 P1
FDMD8630 P1
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ON Semiconductor ~ FDMD8630

Artikelnummer
FDMD8630
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 38A POWER5X6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer FDMD8630
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 38A (Ta), 167A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1 mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 142nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9930pF @ 15V
Leistung max 2.3W (Ta), 43W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerWDFN
Lieferantengerätepaket 8-Power 5x6

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