FDMD8630

MOSFET 2N-CH 30V 38A POWER5X6
FDMD8630 P1
FDMD8630 P1
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ON Semiconductor ~ FDMD8630

Numéro d'article
FDMD8630
Fabricant
ON Semiconductor
La description
MOSFET 2N-CH 30V 38A POWER5X6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article FDMD8630
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 38A (Ta), 167A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 142nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9930pF @ 15V
Puissance - Max 2.3W (Ta), 43W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-PowerWDFN
Package de périphérique fournisseur 8-Power 5x6

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