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| Numero di parte | GSID080A120B1A5 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | - |
| Configurazione | Single |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 160A |
| Potenza - Max | 1710W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 80A |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 7nF @ 25V |
| Ingresso | Standard |
| Termistore NTC | Yes |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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GSID080A120B1A5 | Global Power Technologies Group | SILICON IGBT MODULES | 0 | Dettagli |