GSID080A120B1A5

SILICON IGBT MODULES
GSID080A120B1A5 P1
GSID080A120B1A5 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Global Power Technologies Group ~ GSID080A120B1A5

Artikelnummer
GSID080A120B1A5
Hersteller
Global Power Technologies Group
Beschreibung
SILICON IGBT MODULES
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Artikelnummer GSID080A120B1A5
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Aufbau Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 160A
Leistung max 1710W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 80A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 7nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module

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