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| Numéro d'article | GSID080A120B1A5 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type d'IGBT | - |
| Configuration | Single |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 160A |
| Puissance - Max | 1710W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 80A |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 1mA |
| Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 7nF @ 25V |
| Contribution | Standard |
| Thermistance NTC | Yes |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | Module |
| Package de périphérique fournisseur | Module |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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GSID080A120B1A5 | Global Power Technologies Group | SILICON IGBT MODULES | 0 | Détails |