HN3C10FUTE85LF

TRANSISTOR NPN US6
HN3C10FUTE85LF P1
HN3C10FUTE85LF P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ HN3C10FUTE85LF

Parça numarası
HN3C10FUTE85LF
Üretici firma
Toshiba Semiconductor and Storage
Açıklama
TRANSISTOR NPN US6
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- HN3C10FUTE85LF PDF online browsing
Aile
Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası HN3C10FUTE85LF
Parça Durumu Active
Transistör Tipi 2 NPN (Dual)
Voltaj - Kollektör Verici Dağılımı (Maks.) 12V
Frekans - Geçiş 7GHz
Gürültü Şekli (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1GHz
Kazanç 11.5dB
Maksimum güç 200mW
DC Akım Kazancı (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 20mA, 10V
Akım - Kollektör (Ic) (Maks.) 80mA
Çalışma sıcaklığı -
Montaj tipi Surface Mount
Paket / Durum 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tedarikçi Aygıt Paketi US6

ilgili ürünler

Tüm ürünler