| номер части | HN3C10FUTE85LF |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип транзистора | 2 NPN (Dual) |
| Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) | 12V |
| Частота - переход | 7GHz |
| Шум (дБ Тип @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
| Усиление | 11.5dB |
| Мощность - макс. | 200mW |
| Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce | 80 @ 20mA, 10V |
| Ток - коллектор (Ic) (макс.) | 80mA |
| Рабочая Температура | - |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Пакет устройств поставщика | US6 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HN3C10FUTE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR NPN US6 | - | 0 | подробности |
