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| Número de pieza | HN3C10FUTE85LF |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de transistor | 2 NPN (Dual) |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 12V |
| Frecuencia - Transición | 7GHz |
| Figura de ruido (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
| Ganancia | 11.5dB |
| Potencia - Max | 200mW |
| Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 20mA, 10V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80mA |
| Temperatura de funcionamiento | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | US6 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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HN3C10FUTE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR NPN US6 | - | 0 | Detalles |