Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | APT70GR65B |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| IGBT Tipi | NPT |
| Voltaj - Kollektör Verici Dağılımı (Maks.) | 650V |
| Akım - Kollektör (Ic) (Maks.) | 134A |
| Akım - Toplayıcı Darbeli (Icm) | 260A |
| Vce (açık) (Maks) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 70A |
| Maksimum güç | 595W |
| Anahtarlama Enerjisi | 1.51mJ (on), 1.46mJ (off) |
| Giriş tipi | Standard |
| Kapı Ücreti | 305nC |
| Td (açma / kapama) @ 25 ° C | 19ns/170ns |
| Test Durumu | 433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V |
| Geri Tutma Süresi (trr) | - |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Through Hole |
| Paket / Durum | TO-247-3 |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | TO-247 |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT70GR120B2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO247 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
APT70GR120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
APT70GR120JD60 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | - | 16 | ayrıntılar |
 |
APT70GR120L | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | - | 45 | ayrıntılar |
 |
APT70GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | - | 52 | ayrıntılar |
 |
APT70GR65B2DU40 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | ayrıntılar |
|
APT70GR65B2SCD30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | ayrıntılar |
|
APT70SM70B | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | - | 0 | ayrıntılar |
|
APT70SM70J | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | - | 0 | ayrıntılar |
|
APT70SM70S | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | - | 0 | ayrıntılar |
 |
APT75DF170HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 1700V SOT-227 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
APT75DL120HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 1200V SOT-227 | - | 0 | ayrıntılar |