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| Numero di parte | APT70GR65B |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 134A |
| Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 260A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 70A |
| Potenza - Max | 595W |
| Cambiare energia | 1.51mJ (on), 1.46mJ (off) |
| Tipo di input | Standard |
| Carica del cancello | 305nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 19ns/170ns |
| Condizione di test | 433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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APT70GR120B2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO247 | - | 0 | Dettagli |
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APT70GR120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | - | 0 | Dettagli |
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APT70GR120JD60 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | - | 16 | Dettagli |
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APT70GR120L | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | - | 45 | Dettagli |
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APT70GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | - | 52 | Dettagli |
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APT70GR65B2DU40 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | Dettagli |
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APT70GR65B2SCD30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | Dettagli |
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APT70SM70B | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | - | 0 | Dettagli |
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APT70SM70J | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | - | 0 | Dettagli |
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APT70SM70S | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | - | 0 | Dettagli |
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APT75DF170HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 1700V SOT-227 | - | 0 | Dettagli |
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APT75DL120HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 1200V SOT-227 | - | 0 | Dettagli |