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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | APT70GR65B |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 650V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 134A |
| Strom - Kollektorimpuls (Icm) | 260A |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 70A |
| Leistung max | 595W |
| Energie wechseln | 1.51mJ (on), 1.46mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Ladung | 305nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 19ns/170ns |
| Testbedingung | 433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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APT70GR120B2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO247 | - | 0 | Einzelheiten |
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APT70GR120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | - | 0 | Einzelheiten |
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APT70GR120JD60 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | - | 16 | Einzelheiten |
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APT70GR120L | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | - | 45 | Einzelheiten |
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APT70GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | - | 52 | Einzelheiten |
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APT70GR65B2DU40 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | Einzelheiten |
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APT70GR65B2SCD30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | Einzelheiten |
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APT70SM70B | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | - | 0 | Einzelheiten |
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APT70SM70J | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | - | 0 | Einzelheiten |
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APT70SM70S | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | - | 0 | Einzelheiten |
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APT75DF170HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 1700V SOT-227 | - | 0 | Einzelheiten |
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APT75DL120HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 1200V SOT-227 | - | 0 | Einzelheiten |