BYV29B-300HE3/81

DIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB
BYV29B-300HE3/81 P1
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Vishay Semiconductor Diodes Division ~ BYV29B-300HE3/81

Numéro d'article
BYV29B-300HE3/81
Fabricant
Vishay Semiconductor Diodes Division
La description
DIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Diodes - Redresseurs - Simples
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Numéro d'article BYV29B-300HE3/81
État de la pièce Active
Type de diode Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 300V
Courant - Rectifié moyen (Io) 8A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 1.25V @ 8A
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 50ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 10µA @ 300V
Capacitance @ Vr, F -
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package de périphérique fournisseur TO-263AB
Température de fonctionnement - Jonction -40°C ~ 150°C

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