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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | BYV29B-300HE3/81 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 8A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 8A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 50ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 300V |
| Kapazität @ Vr, F | - |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | TO-263AB |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -40°C ~ 150°C |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BYV29B-300-E3/81 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB | - | 0 | Einzelheiten |
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BYV29B-300HE3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB | - | 0 | Einzelheiten |
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BYV29B-300HE3/81 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB | - | 0 | Einzelheiten |
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BYV29B-400-E3/81 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB | - | 0 | Einzelheiten |
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BYV29B-400HE3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB | - | 0 | Einzelheiten |
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BYV29B-400HE3/81 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB | - | 0 | Einzelheiten |
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BYV29B-500,118 | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 500V 9A D2PAK | - | 4000 | Einzelheiten |
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BYV29B-600,118 | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 9A D2PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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BYV29B-600PJ | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 9A D2PAK | - | 198 | Einzelheiten |