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| Numero di parte | BYV29B-300HE3/81 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 8A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 8A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 300V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
| Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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BYV29B-300-E3/81 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB | - | 0 | Dettagli |
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BYV29B-300HE3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB | - | 0 | Dettagli |
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BYV29B-300HE3/81 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB | - | 0 | Dettagli |
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BYV29B-400-E3/81 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB | - | 0 | Dettagli |
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BYV29B-400HE3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB | - | 0 | Dettagli |
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BYV29B-400HE3/81 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB | - | 0 | Dettagli |
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BYV29B-500,118 | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 500V 9A D2PAK | - | 4000 | Dettagli |
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BYV29B-600,118 | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 9A D2PAK | - | 0 | Dettagli |
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BYV29B-600PJ | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 9A D2PAK | - | 198 | Dettagli |