TPC8207(TE12L)

MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP
TPC8207(TE12L) P1
TPC8207(TE12L) P2
TPC8207(TE12L) P3
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ TPC8207(TE12L)

Artikelnummer
TPC8207(TE12L)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer TPC8207(TE12L)
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 6A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 4.8A, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 200µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2010pF @ 10V
Leistung max 450mW
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOP (5.5x6.0)

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