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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | TPC8212-H(TE12LQ,M |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 6A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 840pF @ 10V |
| Leistung max | 450mW |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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TPC8211(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8 | 0 | Einzelheiten | |
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TPC8212-H(TE12LQ,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8 | 0 | Einzelheiten | |
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TPC8213-H(TE12LQ,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8 | 0 | Einzelheiten |