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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | TK040N65Z,S1F |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 57A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 28.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.85mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6250pF @ 300V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 360W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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TK0405800000G | Amphenol Anytek | TERM BLK 4POS SIDE ENTRY 5MM PCB | - | 133201 | Einzelheiten |
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TK040N65Z,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO- | - | 5987 | Einzelheiten |