TK040N65Z,S1F

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
TK040N65Z,S1F P1
TK040N65Z,S1F P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ TK040N65Z,S1F

品番
TK040N65Z,S1F
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- TK040N65Z,S1F PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 TK040N65Z,S1F
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 57A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 40 mOhm @ 28.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 2.85mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 105nC @ 10V
Vgs(最大) ±30V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 6250pF @ 300V
FET機能 -
消費電力(最大) 360W (Tc)
動作温度 150°C
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-247
パッケージ/ケース TO-247-3

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