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| Número de pieza | TK040N65Z,S1F |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 57A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 28.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.85mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6250pF @ 300V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 360W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247 |
| Paquete / caja | TO-247-3 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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TK0405800000G | Amphenol Anytek | TERM BLK 4POS SIDE ENTRY 5MM PCB | - | 133201 | Detalles |
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TK040N65Z,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO- | - | 5987 | Detalles |