JANSR2N5152U3

RH POWER BJT
JANSR2N5152U3 P1
JANSR2N5152U3 P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ JANSR2N5152U3

Artikelnummer
JANSR2N5152U3
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
RH POWER BJT
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- JANSR2N5152U3 PDF online browsing
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer JANSR2N5152U3
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 2A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 80V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 500mA, 5A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 2.5A, 5V
Leistung max -
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 3-SMD, No Lead
Lieferantengerätepaket U3

Verwandte Produkte

Alle Produkte