JANSR2N2907AUB

BJTS
JANSR2N2907AUB P1
JANSR2N2907AUB P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ JANSR2N2907AUB

Artikelnummer
JANSR2N2907AUB
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
BJTS
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer JANSR2N2907AUB
Teilstatus Active
Transistor-Typ PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 600mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 60V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 50nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 10V
Leistung max 500mW
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 3-SMD, No Lead
Lieferantengerätepaket UB

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